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和记平台 2014 年 7 月 10 日

 成功案例     |      2021-03-10 07:33

宣布时间:2015-10-26   |  文章来历:印刷电子学部 金曼曼  |  【 】  |  【】 【】

  连年来,IBM一直在寻找可以或许延续摩尔定律的半导体质料。2014710日,IBM对外公布,将来5年投资30亿美元开拓7nm芯片,而碳纳米管是他们首选的半导体质料。颠末1年多的研究,最近IBM在碳纳米管集成电路技能方面取得重大打破,办理了商用碳纳米管面对的三大挑战之一,即短沟道碳纳米管晶体管的打仗问题(Science 2015, 350, 69-72)。但高纯半导体碳纳米管的制备、碳纳米管的精确定位和高机能n型碳纳米管晶体管的构建等仍是制约碳纳米管集成电路应用的瓶颈,尚有待进一步研究。 

  中科院苏州纳米所印刷电子学研究部赵建文率领的科研小组自2010年以来一直致力于高机能可印刷半导体碳纳米管墨水的开拓、高机能印刷p型和n薄膜晶体管器件的构建和应用研究。在已往几年中已开拓出多种可以疏散提纯半导体碳纳米管与墨水制备技能,疏散的半导体碳纳米管的纯度可达99%以上。同时,操作印刷制备技能在柔性与刚性基体上构建了CMOS反相器、简朴逻辑电路、环形振荡器与有机发光OLED像素驱动电路等薄膜晶体管电路系统。已颁发研究论文10余篇,申请多项发现专利,并已开始与财富界相助,向实际应用规模推广。 

  最近,印刷电子学研究部的研发事情又取得打破性希望。颠末优化构建的全印刷柔性薄膜晶体管的电荷迁移率可到达100-400 cm2/Vs,亚阈值摆幅(ss)只有69 mV/dec,是今朝已报道的印刷薄膜晶体管中迁移率最高、亚阈值摆幅最小的柔性印刷碳纳米管薄膜晶体管器件。构建的印刷柔性CMOS反相器也表示出优越的机能,和记平台,在低电压(1伏)事情下增益可达23,噪声容限高达85%,也是今朝国际上已报道的最好功效。该事情201510月在台北召开的第6届国际柔性与印刷电子年会上(ICFPE 2015)获最佳论文奖 

  上述事情为印刷碳纳米管薄膜晶体管在新型印刷柔性显示技能、柔性智能光电开关和化学生物传感等规模中的应用打下了精采的基本。

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1 全印刷柔性碳纳米管薄膜晶体管电学机能

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2 高机能印刷柔性CMOS反相器

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3 6届国际柔性与印刷电子大会(ICFPE)最佳论文奖杯和获奖证书